CIGS thin film solar cells prepared by one-step sputtering using a quaternary compound target

4성분계 화합물 타겟을 이용한 단일공정 스퍼터링에 의한 CIGS 박막태양전지

  • 김태원 (한국생산기술연구원 광에너지융합연구그룹) ;
  • 박재철 (한국생산기술연구원 광에너지융합연구그룹) ;
  • 박신영 (한국생산기술연구원 광에너지융합연구그룹) ;
  • 송국종 (한국생산기술연구원 광에너지융합연구그룹)
  • Published : 2015.05.07

Abstract

Se 원소가 포함된 $CuIn_xGa_{1-x}Se_2$(CIGS) 단일 스퍼터링 타겟을 이용하여 후처리 공정없이 단일 스퍼터링 공정만으로 CIGS 흡수층 박막을 증착하여 소자 특성을 확인하였다. 단일 CIGS 흡수층 공정이 적용된 CIGS 박막태양전지 소자(유리기판/Mo/단일 CIGS 흡수층 박막/CdS/i-ZnO/Al-doped ZnO/Ni-Al grid)에서 10.0%의 태양광 변환 효을을 달성하였으며, 이는 기존의 복잡한 공정구조를 해결하여 대면적 양산화 CIGS 제조 공정에도 적용할 수 있음을 확인하였다.

Keywords