Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)
- 2015.05a
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- Pages.92-93
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- 2015
Enhanced electrical property of Y doped IGZO thin film for TFT channel layer
TFT 채널 층 IGZO박막의 Yttrium 도핑에 따른 전기적 특성 개선
Abstract
빠른 응답속도를 요구하는 고품질 대면적 디스플레이의 박막형 트랜지스터 적용에 있어서 비정질 IGZO 박막에 대한 많은 연구가 진행되어왔으나, 불순물 도입에 의한 5성분계 IGZO 박막의 전기적 특성 향상에 대한 연구는 거의 보고 되지 않고 있다. 따라서 이번 연구에서는 magnetron co-sputtering 법으로 50 nm 두께를 가지는 yttrium이 도핑된 5성분계 Y-IGZO박막과 Y-IGZO/IGZO 하이브리드막을 제조하여 그 전기적, 광학적 특성 및 표면 조도를 관찰 하였다.
Keywords