Deposition of IGZO thin film using DC and ICP at magnetron sputtering system

  • Lee, C.H. (Dept. of Advanced Materials, Sungkyunkwan University) ;
  • Kim, K.N. (Dept. of Advanced Materials, Sungkyunkwan University) ;
  • Kim, T.H. (Dept. of Advanced Materials, Sungkyunkwan University) ;
  • Lee, S.M. (Dept. of Advanced Materials, Sungkyunkwan University) ;
  • Bae, J.W. (Dept. of Advanced Materials, Sungkyunkwan University) ;
  • Yeom, G.Y. (Dept. of Advanced Materials, Sungkyunkwan University)
  • Published : 2015.05.07

Abstract

IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) 물질은 기존에 사용되던 Amorphous Silicon에 비해 전자 이동도가 더욱 빠르기 때문에 차세대 디스플레이 재료로서 각광받고 있으며, 이러한 빠른 전자 이동도는 디스플레이 소자에 있어서 매우 중요한 요소 중 하나이다. 이를 향상시키기 위하여 본 연구에서는 ICP(inductively coupled plasma) antenna를 이용하여 rf power와 requency를 변화함으로써 박막 증착 시 발생되는 플라즈마의 특성을 조절하여, 박막의 특성을 조절하고자 했다. 이렇게 증착된 IGZO 박막은 Hall Effect Measurement를 이용하여 전기적 특성을 분석하였으며, XPS(x-ray photoelectron spectroscopy)를 이용하여 박막의 조성을 분석하였다.

Keywords