Modified magnetron sputtering for fast deposition of Al doped Znic oxide film

  • Wen, Long (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Piao, Jinxiang (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Kumar, Manish (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University) ;
  • Han, Jeon-Geon (School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University)
  • Published : 2015.05.07

Abstract

개량한 플라즈마 소스를 이용하여 Al doped ZnO (AZO) 박막을 증착하였다. 이 실험에서 박막의 증착두께를 200nm로 고정하였고 공정압력과 기판사이 거리는 4 mTorr과 4 cm로 정하였다. 인가전력 그리고 윗 타겟 인가전압을 변수로 하였을 경우 AZO 박막의 방향성과 결정성을 XRD로 측정하고 분석하였고 박막의 전기적 특성을 Hall measurment로 측정하였다. 그 결과 인가파워가 2W/cm2, 윗 타겟 인가전압이 0 W 일 때 박막의 전기적 특성이 가장 좋게 나타났다.

Keywords