나노패턴을 위한 CF₄/C₄F₈/Ar 유도결합 플라즈마에서의 Si 및 SiO₂ 식각 메커니즘 연구

Application of Si and SiO₂ Etching Mechanisms in CF₄/C₄F₈/Ar Inductively Coupled Plasmas for Nanoscale Patterns

본 논문에서는 플라즈마 모델링과 식각 표면 분석을 통해 가스 비율 변화에 따른 $CF_4/C_4F_8/Ar$ 유도결합 플라즈마의 특성과 Si 및 $SiO_2$의 식각 메커니즘에 대해 연구하였다.