Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

A study of InGaAs Atomic layer etching using Chlorine and Argon ion beam

Cl2/Ar 이온빔을 이용한 InGaAs 원자층식각 연구

  • 박진우 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 김경남 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 윤덕현 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 이철희 (성균관대학교 신소재공학과) ;
  • 염근영 (성균관대학교 신소재공학과)
  • Published : 2015.11.26
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Abstract

플라즈마 건식 식각 기술은 반도체 식각공정에서 효과적으로 이용되고 있으며, 반도체 소자의 크기가 줄어듬에 따라 미세하고 정확하게 식각 깊이를 제어 할 수 있는 원자층 식각기술 많은 관심을 받고 있다. 실리콘을 대체 할 수 있는 우수한 전기적 특성을 가진 III-V 화합물 반도체 재료인 InGaAs에 대한 원자층 식각을 통하여, 흡착가스에 대한 표면흡착 및 탈착가스에 대한 표면탈착 메커니즘을 고찰하였다. 또한, 성분 및 표면분석 장치를 이용하여 InGaAs 원자층 식각 특성에 대해 연구하였다.

Keywords