한국표면공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference)
- 한국표면공학회 2015년도 추계학술대회 논문집
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- Pages.241-241
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- 2015
Cl2/Ar 이온빔을 이용한 InGaAs 원자층식각 연구
A study of InGaAs Atomic layer etching using Chlorine and Argon ion beam
초록
플라즈마 건식 식각 기술은 반도체 식각공정에서 효과적으로 이용되고 있으며, 반도체 소자의 크기가 줄어듬에 따라 미세하고 정확하게 식각 깊이를 제어 할 수 있는 원자층 식각기술 많은 관심을 받고 있다. 실리콘을 대체 할 수 있는 우수한 전기적 특성을 가진 III-V 화합물 반도체 재료인 InGaAs에 대한 원자층 식각을 통하여, 흡착가스에 대한 표면흡착 및 탈착가스에 대한 표면탈착 메커니즘을 고찰하였다. 또한, 성분 및 표면분석 장치를 이용하여 InGaAs 원자층 식각 특성에 대해 연구하였다.
키워드