Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)
- 2016.05a
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- Pages.445-447
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- 2016
Performance Comparison of the SG-TFET and DG-TFET
SG-TFET와 DG-TFET의 구조에 따른 성능 비교
- Jang, Ho-Yeong (Hankyong National University) ;
- Ahn, Tae-Jun (Hankyong National University) ;
- Yu, Yun Seop (Hankyong National University)
- Published : 2016.05.25
Abstract
Performance comparison between Tunneling Field-Effect Transistors (TFETs) was examined when three types of device parameter of double-gate TFET (DG-TFET) and single-gate TFET (SG-TFET) are varied. When the channel length is over 30 nm, silicon thickness is below 20 nm, and a gate insulator thickness decreases, the performance of
터널링 전계효과 트랜지스터(Tunneling Field-Effect Transistor; TFET) 중에 이중 게이트 TFT(DG-TFET)와 단일 게이트 TFET(SG-TFET)의 구조에 따른 성능 비교를 조사했다. 채널 길이가 30nm 이상, 실리콘 두께 20nm이하, 게이트 절연막 두께는 작아질수록 SG-TFET와 DG-TFET subthrreshold swing과 온 전류 성능이 향상됨을 보였다. 다양한 파라미터에서 DG-TFET의 성능이 SG-TFET 성능보다 향상됨을 보인다.