한국정보통신학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference)
- 한국정보통신학회 2016년도 춘계학술대회
- /
- Pages.450-452
- /
- 2016
도핑효과에 의한 L-shaped 터널링 전계효과 트랜지스터의 영향에 대한 연구
Investigation on the Doping Effects on L-shaped Tunneling Field Effect transistors(L-shaped TFETs)
- Shim, Un-Seong (Hankyong National University) ;
- Ahn, Tae-Jun (Hankyong National University) ;
- Yu, Yun Seop (Hankyong National University)
- 발행 : 2016.05.25
초록
2차원 TCAD 시뮬레이션을 이용하여 L-shaped 터널링 전계효과 트랜지스터(Tunnel Field-Effect Transistor; TFET)의 도핑농도에 따른 효과를 조사했다. 소스 도핑이
The effect of channel doping on L-shaped Tunneling Field-Effect Transistors (TFETs) have been investigated by 2D TCAD simulation. When the source doping is over