Oblique-angle sputtering에 의한 Indium tin oxide 이중층 반사방지막 특성에 관한 연구

  • Kim, Yong-Jun (School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University) ;
  • Le, Anh Huy Tuan (School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University) ;
  • Kim, Seon-Bo (Department of Energy Science, SungKyunKwan University) ;
  • Lee, Jun-Sin (School of Information and Communication Engineering, SungKyunKwan University)
  • 발행 : 2016.02.17

초록

높은 굴절률(n_H) 의 ITO films 위에 homoepitaxial 성장 기술로 낮은 굴절률(n_L) 의 ITO를 이중으로 증착한 반사방지막을 연구하였다. 우리는 기판 상에 vapor flux 입사 각도 및 columnar 성장막과 경사각 사이의 상관 관계에 기초하여 낮은 굴절률의 ITO 박막을 Oblique-angle sputtering을 사용하여 증착하였다. Oblique-angle 증착동안 columns 경사각이 incident flux angle 의 증가에 따라 linear 하게 증가했다. 반대로 incident flux angle 이 증가할때 ITO 박막의 굴절률은 현저하게 감소하였는데, 이는 원자의 shadowing effect와 표면 diffusion으로 인하여 필름내의 porosity를 증가시킨 것으로 보여진다. 이러한 결과로 homoepitaxial으로 성장시킨 ITO 이중층 구조 반사방지막 특성이 향상되었으며, 유리 기판 위에서 weight average reflectance가 n_L=1.72, n_H=1.90 에서 6.57%를 달성하였다.

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