Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2016.02a
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- Pages.317-317
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- 2016
저온공정 InSnZnO 채널층을 이용한 산화막/산화막/산화막 비휘발성 메모리 소자의 전기적 특성 연구
- Lee, So-Jin ;
- Nguyen, Cam Phu Thi ;
- Jang, Gyeong-Su ;
- Kim, Tae-Yong ;
- Lee, Yeong-Seok ;
- Lee, Jun-Sin
- 이소진 (전자전기컴퓨터공학과, 성균관대학교) ;
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- 장경수 (전자전기컴퓨터공학과, 성균관대학교) ;
- 김태용 (전자전기컴퓨터공학과, 성균관대학교) ;
- 이영석 (에너지과학과, 성균관대학교) ;
- 이준신 (전자전기컴퓨터공학과, 성균관대학교)
- Published : 2016.02.17
Abstract
이 연구에서는 산화막/산화막/산화막 적층구조의 블로킹산화막/전하저장층/터널링산화막과 InSnZnO를 채널층으로 이용한 비휘발성 메모리 (NVM) 소자의 메모리 특성을 확인하였다. NVM 소자의 기본 전기적 특성의 경우