Proceeding of EDISON Challenge (EDISON SW 활용 경진대회 논문집)

Korea Institute of Science and Technology Information (한국과학기술정보연구원)
권호 표지

Arsenic implantation graph comparing with Dopant diffusion simulation and 1-D doping simulation (performed by synopsys sentaurus process)

  • 임주원 (전자전기공학부, 단국대학교) ;
  • 박준성 (정보통신공학부, 광주과학기술원)
  • Published : 2016.03.22
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

본 논문에서는 3-stream model에 기반한 Dopant diffusion simulator를 사용하여 실리콘 기판 내부의 As이온의 확산을 시뮬레이션한 결과와 Dual-Pearson Analytic model에 기반하여 Ion implantation을 1-D doping simulation한 결과를 토대로 여러 공정 설계에서 diffusion simulator의 사용가능함을 확인하였다.

Keywords