Selection of Wide-Bandgap power device for series resonant half-bridge converter of Induction Cooker

직렬 공진 하프-브릿지 컨버터 인덕션 쿠커에 적용할 Wide-Bandgap power device 선정

  • Kim, Jae-Keun (Department of Electronic & Electrical Engineering, Hongik University) ;
  • Kim, Seung-Gwon (Department of Electronic & Electrical Engineering, Hongik University) ;
  • Park, Sung-Min (Department of Electronic & Electrical Engineering, Hongik University)
  • 김재근 (홍익대학교 전자전기공학과) ;
  • 김승권 (홍익대학교 전자전기공학과) ;
  • 박성민 (홍익대학교 전자전기공학과)
  • Published : 2018.11.30

Abstract

본 논문에서는 인덕션 쿠커의 토폴로지 중 하나인 직렬 공진 하프-브릿지 컨버터에 Wide-Bandgap 전력 반도체를 적용하여 전력 손실을 평가한다. 전력 반도체의 발전으로 Si-기반의 전력반도체를 대체할 GaN과 SiC의 Wide-Bandgap 소자들이 양산되고 있다. Wide-Bandgap 소자의 장점은 고주파수에서의 동작과 낮은 손실에 있다. 이에 인덕션 쿠커의 직렬 공진 하프-브릿지 컨버터에 Wide-Bandgap 전력반도체를 적용하여 전력 손실을 PSIM Thermal Module을 통해 평가하고 인덕션 쿠커에 적합한 소자를 선정한다.

Keywords