Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

Comparison of Electrical Coupling of Monolithic 3D Inverter with MOSFET and JLFET

MOSFET와 JLFET의 3차원 인버터 전기적 상호작용의 비교

  • Ahn, Tae-Jun (Department of Electrical, Electronic and Control Engineering, Hankyong National University) ;
  • Choi, Bum Ho (Group for Nano-Photonics Convergence Technology, Korea Institute of Industrial Technology) ;
  • Yu, Yun Seop (Department of Electrical, Electronic and Control Engineering, Hankyong National University)
  • 안태준 (한경대학교 전기전자제어공학과) ;
  • 최범호 (한국생산기술연구원) ;
  • 유윤섭 (한경대학교 전기전자제어공학과)
  • Published : 2018.05.31
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Abstract

This paper compared the electrical coupling of the monolithic 3D inverter consisting of MOSFET and JLFET. In the case of both the MOSFET and the JLFET, MOSFET and JLFET have a small threshold voltage variation when the thickness of inter-layer dielectric (ILD) = 100 nm. However, when the thickness of ILD = 10 nm, the threshold voltage variation is larger and the JLFET is twice as much as the MOSFET.

논문은 MOSFET와 JLFET로 구성된 3D 인버터의 inter-layer dielectric (ILD)의 두께에 따른 하층 게이트에 의한 전기적 상호작용을 비교하였다. MOSFET와 JLFET 모두 ILD의 두께가 100 nm에서 문턱전압의 변화량이 크지 않았지만 100 nm에서 문턱전압의 변화량이 크게 증가하였다. 특히 JLFET의 문턱전압의 변화량이 MOSFET보다 2배 정도 크게 변화하여 하층 게이트에 의한 전기적인 영향을 더 크게 받는다.

Keywords