인덕션 쿠커용 공진형 하프-브릿지 컨버터의 스위치 손실 분석

Analysis of Switch losses in Resonant Half-Bridge Converters for Induction Cooker applications

  • 김재근 (홍익대학교 전자전기공학과) ;
  • 백기호 (홍익대학교 전자전기공학과) ;
  • 박성민 (홍익대학교 전자전기공학과) ;
  • 오원현 (제이텍 코리아)
  • Kim, Jae-Keun (Dept. of Electronic & Electrical Engineering, Hongik University) ;
  • Baek, Ki-Ho (Dept. of Electronic & Electrical Engineering, Hongik University) ;
  • Park, Sung-Min (Dept. of Electronic & Electrical Engineering, Hongik University) ;
  • Oh, Won-Hyun (JTEK Korea)
  • 발행 : 2018.07.03

초록

본 논문에서는 인덕션 쿠커의 스위칭 전력반도체에서 발생되는 스위치 손실을 비교 분석한다. Si-기반 전력반도체의 효율 상승이 한계점에 도달함에 따라 고속 스위칭 및 저손실 특성을 지닌 SiC, GaN와 같은 와이드밴드갭 소자를 활용한 고전력밀도 컨버터의 연구가 활발히 진행되고 있다. 이에 소비자 가전분야의 인덕션쿠커 공진형 하프-브릿지 전력회로의 기존 Si-IGBT를 GaN-FET과 SiC-FET으로 구성하여 스위치 손실모델을 유도하고 이를 통해 세 가지의 전력반도체가 적용된 인덕션 쿠커의 스위치 손실을 비교분석한다. 분석된 손실모델은 PSIM Thermal Module을 통하여 검증한다.

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