Proceedings of the KIPE Conference (전력전자학회:학술대회논문집)
- 2020.08a
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- Pages.292-293
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- 2020
Design of 3kW LLC Resonant Converter Based on GaN HEMT
GaN HEMT를 적용한 3kW급 LLC 공진형 컨버터 설계
- Lim, Jong-Hun (Korea Electronics Technology Institute (KETI)) ;
- Joo, Dongmyoung (Korea Electronics Technology Institute (KETI)) ;
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Hyon, Byoung Jo
(Korea Electronics Technology Institute (KETI))
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Kim, Jin-Hong
(Korea Electronics Technology Institute (KETI))
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Choi, Jun-Hyuk
(Korea Electronics Technology Institute (KETI))
- 임종헌 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터) ;
- 주동명 (전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터) ;
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현병조
(전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터)
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김진홍
(전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터)
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최준혁
(전자부품연구원 지능메카트로닉스 연구센터)
- Published : 2020.08.18
Abstract
본 논문은 차세대 전력반도체 GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor)를 적용한 통신전원 시스템용 LLC 컨버터의 설계에 대해 다룬다. GaN HEMT 소자의 노이즈를 저감하기 위해 3-level 게이트 드라이버를 설계하였다. 설계한 게이트 드라이버와 GaN HEMT를 적용한 3kW급 LLC 공진 네트워크를 설계하였고, 테스트 베드를 제작하여 실험을 통해 시스템의 성능을 검증하였다.
Keywords