트란지스터 발진기의 발진영역과 부저항의 변화에 관한 연구

A Study on the Oscillation Region and the Variation of Negative Resistance in Transistor Oscillators

본논문은 트란지스터발진기의 발진영역과 부저항의 변화에 대하여 하나의 새로운 방법을 써서 고찰한 것이다. 트란지스터귀환발진기의 발진영역을, 귀환소자임피이던스의 복소평면상에 나타내면 원이 된다. 그리고, 귀환소자임퍼이던스의 저항분을 일정하게 하고, 리액턴스분을 변화시키거나, 혹은 이와 반대로 리액틴스분을 일정하게하고, 저항분을 변화시킬 때, 출력콘덕턴스가 극소로 되는 점의 궤적은 쌍곡선이 된다. 트란지스터수정발진기에서는, 발진영역은 부하임퍼이던스의 복소평면상에서, 입력임피이던스의 실수부 및 허수부를 0이 되게 하는, 두개의 원에 의하여 정해진다. 그리고, 부하임피이던스의 저항분을 일정하게 하고 리액턴스분을 변화시키거나, 혹은 반대로 리액턴스분을 일정하게 하고 저항분을 변화시킬 때, 입력저항을 극대 또는 극소로 되게 한는 점의 궤적은, 네 개의 직선이 된다.

The paper presents a new method for analyzing oscillation regions of transistor oscillators. In transistor feedback oscillators oscillation region appears as a circle in feedback impedance complex plane. When the resistive component of feedback impedance is fixed and the reactive component of feedback impedance is varied or vice versa, the locus of maximum negative output conductance becomes hyperbola. In transistor crystal oscillators oscillation region is determined by two circles which make real part and imaginary part of input impedance zero in load impedance complex plane. When the resistive compoment of load impedance is fixed and the reactive colnponent of load impedance is varied or vice versa, the loci of maximum or minimum resistive component of input impedance become straight lines.