비정질반도체 재료와 응용

금속과 원소반도체의 접촉으로 이루어진 점접촉트란지스터를 출발점으로 한 P-N접합트란지스터는 4반세기동안 반도체전자 소자의 중심이었다. 이와 같은 반도체소자는 단결정반도체의 특성을 이용한 것으로 그 제작에 있어 거의 완전에 가까운 결정구조와 극도의 화학적순수성이 요구되는 것이다. 이와 같은 요구조건은 접합형 반도체소자제작에 큰 제한을 주게 된다. Gunn Diode, Impatt Diode등으로 반도체소자는 Bulk형식의 것이 각광을 받게 되었으며 MOS형식의 FET에 이르러 신기원을 이루게 되었다. 이리하여 MOS기술은 Sapphire기반을 도입함으로써 SOS기법으로 발전을 거듭하게 되었다. 그러나 정질반도체의 이용이라는 근본적 개념에서는 이탈치못하고 있다. 이상과 같은 정질반도체소자에 대응하여 반대적 입장에서 불순물농도의 영향이 적은 비정질반도체의 연구가 70년이후 미국을 중심으로 활발하게 전개되고 있다. 그 연구 및 개발결과는 2년마다 이루어지는 액체비정질반도체국제회의에서 종합되고 있다. 이 분야에서의 연구는 1968년 Ovshinsky가 비산화물 Chalcogenide glass 비정질박막에서의 빠른 응답속도의 양극대칭성 Switching 현상 발견을 계기로 신국면을 개척하게 된 것이다. 이들 비정질반도체에 대한 물성론적 흥미와 응용면에 관한 기대로부터 전도기구의 해명과 응용회로의 개발연구가 급속히 진전되고 있다.