트랜지스터의 스위칭 특성과 IC화 할 수 있는 발진회로

Switching Characteristics of Transistor & IC-Version of Oscillator

다단스위칭 회로를 구성하고 있는 트랜지스터의 스위칭 동작을 베이스전압과 단위 스텝 응답함수의 특성을 고려하여 해석 하였으며 트랜지스터의 축적시간을 고려하면 트랜지스터를 시간지연소자로 간주할 수 있다고 보고 이를 이용하여 IC화 할 수 있는 시간지연 회로 및 발진회로를 제시하였다.

This paper dealt with an oscillator which can be integrated and 1 he switching characteristics of the transistor as a component of multistage switching circuits . The switching characteristics were analyzed by utilizing the base voletare and the charactistics of the minit step function. Taking the storage time of the transistor into consideration, the transistor is considered as a time delay device, and an integrable time delay circuit an osicillator are realized.