대한전자공학회논문지 (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics)
- 제22권4호
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- Pages.1-7
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- 1985
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- 1016-135X(pISSN)
Short-Channel EIGFET의 Threshold 전압 모델에 관한 연구
A study on the threshold Voltage Model for Short-channel EIGFET
- Park, Gwang-Min (Dept. of Telecomunication Engineering, Hanyang University) ;
- Kim, Hong-Bae (Dept. of Telecomunication Engineering, Hanyang University) ;
- Gwak, Gye-Dal
- 발행 : 1985.04.01
초록
본 논문에서는, drain 전압과 substrate bias에 종속적인 관계를 갖는 short-channel enhancement-mode IGFET의 threshold전압에 대한 보다 개선된 모델을 제시한다. 특히, 최근에 발표된 몇몇 모델들에 비해. short-channel effect에 의한 correction factor를 정확히 해석함으로써 오차를 충분히 줄일 수 있었으며, 본 모델을 이용하여 계산한 이론값은 약 1μm 정도의 채널 길이를 갖는 device에 대해서도 실험값과 잘 일치한다.
In this paper, a more improved threshold voltage model dependent on drain voltage and substrate bias for short - channel enhancement - mode IGFET is presented. Especially, compared with the several recently published models, the error is sufficiently reduced with the precise analysis on the correction factor for short-channel effect and the calculated values using this model are also agreed well with the experimental data about 1
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