이산화실리콘 층의 예각부식

Acute Angle Etching of silicon Dioxide Layer

열적으로 성장된 이산화실리콘 층 위에 실리카 필름 박막을 도포함으로써, 열산화막의 예각부식 공정이 제안되었다. 실리카필름의 밀화온도를 175$^{\circ}C$ 에서 1,150$^{\circ}C$로 변화시킴에 따라, $3^{\circ}$ 에서 $40^{\circ}$사이의 경사각을 얻었다. 또한 예각부식 공정의 해석적인 모형이 제시되었으며, 이산화실리콘 층의 부식단면을 기술하는 방정식이 Fermat의 최단시간 정리를 이용하여 유도되었다. 전자주사 현미경으로 부터 얻어진 부식단면과 이론적으로 계산된 단면을 비교한 결과, 서로 잘 부합되었다.

Acute angle etching Process of thermally grown silicon dioxide layer has been Proposed by depositing a thin layer of silicafilm on the thermal oxide layer. As densification temper-ature of silicafilm is varied from 175$^{\circ}C$ to 1,15$0^{\circ}C$, taper angles from 3$^{\circ}$ to 40$^{\circ}$ are ob-tained. Analytical model of the acute angle etching process has also been presented and etched profile equations of the silicon dioxide layer have been derived using format's principle of lease time. Etched profiles obtained from scanning electron microscope analysis show good agreement with the theoretically calculated profiles.