A Study on the Efficiency Improvement of HLE Solar Cell Using Surface Charge Accumulated Layer

표면전축적층을 이용한 HLE 채양전지의 효율개선에 관한 연구

New N+N/P HLE solar cells with N+ surface charge accumulated layer in the emitter region are fabricated on the N/P Si epiwafer by incorporating high fixed positive charge density (Qss) at the Si-AR layer interface. Solar cells are classified into two categories, i.e, OCI and NCI Cell depending on AR layer, SiOl and Si3 N4/sioxynitride layer respectively. The distribution of Qss in the Si-AR layer interface is examined by C-V plot. It shows that the surface charge accumulated layer is formed more effectively in the NCI cell (Qss=1.79-1.84$\times$1012cm-2) than in the OCI cell (Qss=3.03~4.40$\times$1011 cm-2). The efficiency characteristics are evaluated under the JCR halogen lamp of 100 mw/cm2. The average (maximum) conversion efficiency for active area is 15.18 (15.46)% in the OCI cell and 16.31 (17.07)% in the NCI cell.

P형 Si기판에 N에피층을 성장시키고 Si-AR막 계면에서 고정양전하밀도(Qss)를 높임으로써 전지의 에미터 표면영역을 N'전하축적층으로 나타낸 새로운 형태의 N'N/P HLE 태':1전지 를 제 작하였다. 제작된 전지의 종류로는 AR막으로 SiOr층을 이용한 OCI전지와 Si,N,/sioxynitride층을 이응한 NCI전지로 구분하였다. 전지의 AR막내 Qss분포는 커패시턴스-전압 측정을 통해 조사하였으며 이로부터 NCI전 al (Qss=1.79~ 1.84$\times$1011cm-2) 가 OCI전 지 (Qss=3.03~ 4.40$\times$1011cm-1) 에 비 해 로면 전 하축 적 층 이 효과적 으로 나타남을 알 수 있었다. JCR할로겐 램프로 100mW/cm2의 인공조명을 만들어 효율특성을 분석한 결과 유효수광면적에 대한 평균(최대)변환효율이 OCI전지에서 15.18(15.46)%, NCI전지에서 16.31(17.07%)로 나타났다.