RTA Development to Minimize SLIP and Process Power Consumption

SLIP 현상 및 공정소모 POWER를 최소화하기 위한 RTA 제작

Rapid thermal annealing system using tungsten halogen lamps and reflectors was developed to get 2 slips per ${\2^'}$ wafer at least at $1300^{\circ}C$. Reflectors are different in reflectance between the edge and the center of an wafer. Slip generation could be suppressed by placing a graphite ring around the wafer. The two-channel heating is proposed as the others solution to reduce the power consumption and the slip generation simultaneously.

본 연구에서는 텅스텐 할로겐 램프를 사용한 RTA(or RTP) 장치를 제작하여 웨이퍼 가장자리와 내부사이의 서로 다른 반사계수를 갖는 반사판을 사용하여 $1300^{\circ}C$에서 최소 2개까지 슬립 (${\2"}$ wafer) 발생억제 효과를 얻을 수 있었다. 뿐만 아니라 웨이퍼 주위에 흑연환을 씌워 경계에서 잃는 온도 보상효과를 주어 슬립 생성을 억제시킬 수 있었다. 또한 소모전력감소 및 슬립현장을 동시에 줄이기 위한 또 다른 방법으로 Two-channel heating을 제시하였다.