Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

The Structural and Electrical Properties of PbO Photoconductive Film

PbO 광도전막의 구조적 및 전기적 특성

  • 박기철 (慶北大學校 電子工學科) ;
  • 남기홍 (慶北産業大學校 電子工學科) ;
  • 김기완 (慶北大學校 電子工學科)
  • Published : 1989.04.01
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Abstract

The image sensitive PbO photoconductive films were fabricated ar several deposition conditions such as $O_2$ gas pressure, deposition rate, and substrate temperature. And the effects of these deposition condition on the structural and electrical properties of them were investigated with the aid of scanning electron photomicrographs. X-ray diffraction patterns, and current-valtage chatacteristics. The results show that when PbO film has red tetragonal structure and its dominant orientations are <110> and <010> direction, photocurrent-darkcurrent ratio and light transfer ratio are increase.

영상감지막으로 사용되는 PbO광도전막을 산소압, 증착속도 및 기판온도 등의 조건을 변화시켜 가면서 유도성가열증착법으로 제조하였다. 이 때 증착조건이 PbO막의 구조적 및 전기적 특성에 미치는 영향을 SEM사진, X선회절도 및 전류-전압특성 등을 통해 조사 하였다. 이 결과로 부터 정방정계의 구조의 적색PbO가 <110> 및 <101> 방향으로 우세하게 성장할 때 광전류대 암전류의 비와 광전변환률이 증가함을 알 수 있었다.

Keywords