GAIVB 법에 의해 형성된 $Al_{2}$$O_{3}$/Si MOS 구조에서의 항복현상에 관한 고찰

Dielectric Breakdown in mos structures of $Al_{2}$$O_{3}$ on Si deposited by gaivb technique

본 논문에서는 $Al_{2}$ $O_{3}$박막을 GAIVB(Gas Assisted and Ionized Vapour Beam)법에 의해 저온에서 300.angs.-1400.angs.의 두께로 성장하여 그 조건을 제시하였다. 아울러 Al-Al$_{2}$ $O_{3}$-Si의 MOS구조를 제작하여 Breakdown 현상을 고찰하고 그 결과를 분석 제시함으로써 GAIVB법에 의해 저온으로 형성된 $Al_{2}$ $O_{3}$막의 활용 가능성을 보고하였다. 한편, 본 연구에서 제작한 $Al_{2}$ $O_{3}$ 박막의 저항율은 막의 두께 100.angs.-1000.angs.인 시료소자에서 $10^{8}$ ohm-cm와 $10^{13}$ ohm-cm로 측정되었고 비유전율은 8.5-10.5, 절연파괴강도는 6~7 MV/cm(+바이어스)와 11~12MV/cm(-바이어스)이었다.