The Characterization of SC-PMOSFET with $P^+$ Polysilicon Gates

$P^+$ 다결정 실리콘을 사용한 SC-PMOSFET의 특성

A study of the operation of surface and buried mode PMOSFET's is condusted. Using device with different channel length and channel implant dosage, threshold voltage lowering, transcon-diuctance and subthreshold characteristics of surface mode PMOFET are compared with those of buried mode MPOSFET. From the results, the surface channel device were more resistant to short channel effect than the buried channel device.

$P^+$형 다결정 실리콘 게이트와 n형 다결정 실리콘 게이트를 갖는 P채널 MOSFET를 제작하였다. 채널의 길이와 채널의 이온 주입 조건에 따라 SC-PMOSFET와 BC-PMOSFET의 transconductance 문턱저압저하 및 subthreshold 특성을 분석하였다. 측정된 소자의 특성으로 부터 SC-PMOSFET소자가 BC-PMOSFET 소자에 비하여 transconductance는 작으며 subthreshold 영역에서 누설전류도 작고 문턱 전압 저하및 DIBL영향이 작게 일어남을 알 수 있었다.