CdSe 박막의 광도전 특성

Photoconductive Characteristics of CdSe Thin Films

본 논문에서는 진공증착법으로 순수한 CdSe박막과 미소량의 불순물을 첨가한, CdSe 박막을 제작하고, 그후 제작한 박막을 진공중에서 열처리하여 광도전성 박막으로서의 특성을 조사하였다. 증착시 기판의 온도는 $200^{\circ}C$이고 열처리 온도는 $400^{\circ}C$에서 $600^{\circ}C$에 걸쳐 행하였다. 일반적으로 박막의 광도전성은 열처리 온도가 높을수록 향상된다. 제작된 각 시편의 광전류는 조도의 증가에 따라 직선적인 관계가 나타난다. 제작된 각 시편에 대하여 파장범위 380-850nm에서 광도전특성을 조사한 결과 광응답의 최대치는 700nm 부근이며 불순물을 첨가함에 따라 장파장쪽으로 이동한다. 순수한 CdSe 박막의 경우 $240^{\circ}K$ 부근에서 양호한 광응답 특성이 나타나나 불순물 첨가의 경우에는 온도가 상승함에 따라 양호한 특성이 나타난다.

In this paper, photoconductive pure CdSe films and CdSe films doped with various impurities are fabricated by vaccum deposition and subsequent heat treatment in vaccum. The substrate is kept at $200^{\circ}C$ during deposition and temperature generally makes the films more photoconductive. The photocurrent of the films increase linearly with light illumination. Spectral response of photoconductivity is measured at the wave length range of 380nm to 850nm. The maximum response is found at 700nm in pure CdSe films, but it shifts to the longer wavelength in impurity-doped CdSe films. Photo-response of the pure CdSe films are more sensitive at lower temperature, while the impurity-doped films show the opposite trend.