Principles of phase shifting micro-photolithography

미세광리소그라피를 위한 위상변위 기술의 원리

  • Published : 1992.03.01

Abstract

오늘날 16M-DRAM 나아가서 64M-DRAM 제작을 위한 미세광리소그라피에서 위상변조된 마스크를 이용하여 높은 해상도를 얻고자 하는 연구가 세계적으로 추진되고 있다. 이 방법의 원리를 소개 하고자 한다.

Keywords

References

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