Korean Journal of Optics and Photonics (한국광학회지)

Optical Society of Korea (한국광학회)
권호 표지

A study on the InGaAsP/InP MQW-LD fabrication by the liquid phase epitaxy

액상결정성장에 의한 InGaAsP/InP MQW-ND 제작에 관한 연구

  • 조호성 (한국해양대학교 전자통신공학과) ;
  • 홍창희 (한국해양대학교 전자통신공학과) ;
  • 오종환 (한국해기연수원 기관학과) ;
  • 예병덕 (한국해양대학교 해사수송공학과) ;
  • 이중기 (한국전자통신연구소 화합물반도체부 광전자실)
  • Published : 1992.12.01
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Abstract

In this study, InGaAsP/InP MQW-DH wafer was grown by a vertical type LPE system and 10$\mu$m stripe MQW-LD was fabricated with the wafer. The threshold current was about 200 mA and when the cavity length of the LD was 470$\mu$m the central wavelenth of gain spectra was 1.32$\mu$m the lasing wavelength was 1.302$\mu$m which corresponded to the gain center of the quantum well thickness of 300 $\AA$.

본 연구에서는 수직형 LPE 장치를 이용하여 InGaAsP/InP MQW-DH웨이퍼를 성장하고 10$\mu$m stripe MQW-LD를 제작하였다. 공진기 길이 470$\mu$m LD의 경우 이득스펙트럼 중심파장은 1.32$\mu$m였다. 발전파장은 1.302$\mu$m로써 양자우물두께 300$\AA$의 이득중심에 해당한다는 사실을 알 수 있었다.

Keywords