Chemical Vapor Nucleation of Tungsten from $WF_6-SiH_4$ on Silicon Dioxide Surface

산화규소 표면위에서 $WF_6-SiH_4$ 화학증착에 의한 텅스텐 핵의 생성

The rate of tungsten nuclei formation from $WF_6-SiH_4$ on silicon dioxide surface was measured. The nucleation rate became faster at high deposition temperature, low carrier gas flow rate and high deposition pressure. Also the rate became faster at the downstream of the oxide surface compared to the oxide surface near the inlet. Shape and cross-sectional view of the tungsten nuclei were observed with SEM and their chemical compositions were also determined.

$WF_6$와 $SiH_4$의 화학반옹으로부터 산화규소막 위에 텅스텐 핵이 형성되는 현상을 실험을 통해 관찰하였다. 핵이 생성되는 속도는 반응온도가 높고 운반기체의 유량이 적으며 반응기내의 압력이 높을수록 큰 것으로 나타났다. 또한 반응기체가 흘러가는 방향에서 아랫쪽으로 위치하는 표면에 핵이 생성되는 속도가 큰 것으로 나타났다. 산화막위에 생성된 텅스텐 핵의 형상과 파단면을 주사현미경으로 관찰하였으며 산화막위에 형성된 텅스텐 박막의 화학적 조성을 밝혀내었다.