Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)
- Volume 2 Issue 1
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- Pages.35-42
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- 1992
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- 1225-0562(pISSN)
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- 2287-7258(eISSN)
Thermal behavior of modified silicon surface by $CHF_3/C_2F_6$ reactive ion etching
$CHF_3/C_2F_6$ 반응성이온 건식식각에 의해 변형된 실리콘 표면의 열적 거동에 관한 연구
- Park, Hyung-Ho (Semicoductor Technology Division, ETRI) ;
- Kwon, Kwang-Ho (Semicoductor Technology Division, ETRI) ;
- Koak, Byong-Hwa (Semicoductor Technology Division, ETRI) ;
- Lee, Joong-Whan (Semicoductor Technology Division, ETRI) ;
- Lee, Soo-Min (Semicoductor Technology Division, ETRI) ;
- Kwon, Oh-Joon (Semicoductor Technology Division, ETRI) ;
- Kim, Bo-Woo (Semicoductor Technology Division, ETRI) ;
- Seong, Yeong-Gwon (Dept. of Electronic Eng., Korea University)
- 박형호 (한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
- 권광호 (한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
- 곽병화 (한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
- 이중환 (한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
- 이수민 (한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
- 권오준 (한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
- 김보우 (한국전자통신연구원 반도체연구단) ;
- 성영권 (고려대학교 전기공학과)
- Published : 1992.02.01
Abstract
Thermal behavior of residue and damaged layer formed by reactive ion etching (RIE) in
실릴콘 산화막을
Keywords