한국재료학회지 (Korean Journal of Materials Research)

  • 제2권3호
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  • Pages.213-219
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  • 1992
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  • 1225-0562(pISSN)
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  • 2287-7258(eISSN)
한국재료학회 (Materials Research Society of Korea)
권호 표지

A$s^+$이온을 주입시킨 Si 표면부 미세구조와 특성

Microstructure and Characterisistics of Near Surface of $As^+$Ion Implanted Si

  • 신동원 (포항공과대학 재료.금속공학과) ;
  • 최철 (포항공과대학 재료.금속공학과) ;
  • 박찬경 (포항공과대학 재료.금속공학과) ;
  • 김종철 (현대전자 반도체 연구소)
  • Shin, D.W. (Dept. of Materials Science and Engineering, Pohang Institute of Science and Technology) ;
  • Choi, C. (Dept. of Materials Science and Engineering, Pohang Institute of Science and Technology) ;
  • Park, C.G. (Dept. of Materials Science and Engineering, Pohang Institute of Science and Technology) ;
  • Kim, J.C. (Semiconductor R &D Lab., Hyundai Electronics)
  • 발행 : 1992.06.01
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초록

$As^{+}$이온을 주입시킨후 열처리 방법을 달리한 Si 표면부 미세구조와 성분분석 및 전기적특성을 조사하였다. 이온주입에 의해 형성되었던 비정질층은 열처리에 의해 결정화 되었으며 열처리방법에 따라 결정화 양상의 차이를 보였다. 또한 주입된 이온의 분포 및 전기저항을 미세구조와 비교한 결과 주입된 이온의 농도가 최대인 깊이에서 최대의 손상이 발견되었으며 열처리 후에도 매우 작은 결함이 존재하였다. 하지만 이러한 작은 결함들은 전기적 성질에 큰 영향을 미치지는 않은 것으로 나타났다.

The microstructure, dopant distribution and electrical properties of the $As^{+}$ ion-implanted surface layer differ significantly depending on the methods of subsequent heat treatments, furnace annealing(FA) and rapid thermal annealing(RTA). The amorphous layer created by ion implantation was recrystallized during the thermal annealing through solid phase epitaxial (SPE) growth. The dopant distribution and electrical properties are discussed with respect to the TEM cross-sectional microstructure observed. The microstructure, dopant distribution and electrical properties depended upon especially the annealing time of the heat treatment.

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