Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

Atomic Arrangement of Ordered Phase in $GaAs_{0.5}Sb_{0.5}$ Epilayer

$GaAs_{0.5}Sb_{0.5}$ 에피층의 규칙상의 원자 배열

  • Ihm, Yeong-Eon (Department of Materials Engineering, College of Engineering, Chungnam National University)
  • 임영언 (충남대학교 공과대학 재료공학과)
  • Published : 1993.12.01
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Abstract

Atomic arral1gement of ordered phase in $GaAs_{0.5}Sb_{0.5}$ epilayer was studied by observation of selected area diffraction patterns and high resolution images. The epilayer was grown on untilted (001) GaAs substrate at $580^{\circ}C$ by molecular beam epitaxy(MBE). A 1/2(111) type long-range ordered phase is formed in the epilayer. Atomic arrangement of the ordered phase is described as an alternative stacking of As-rich and Sb-rich {111} planes in group V sublattice. Space group of the ordred structure belongs to R3m, and unit cell of the ordered structure is rhombohedral.

MBE법으로 $580^{\circ}C$에서 성장한 $GaAs_{0.5}Sb_{0.5}$/(001)GaAs 에피층의 원자 배열을 TEM을 이용하여 분석하였다. 1/2(111) 형의 장범위 규칙상이 $GaAs_{0.5}Sb_{0.5}$/(001)GaAs 에피층에서 발견되었다. 이 규칙상의 원자 배열은 As의 농도가 높은 {111}As 면과 Sb의 농도가 높은 {l1l}Sb 면이 V족 소격자에 교대로 나열된 구조이며, 주기는 {111} 면간 거리의 2배이다. 이 구조는 R3m 의 공간군에 속하며, 단위포는 능면체정이다.

Keywords