In-situ Measurements of the Stress in $TiO_2$ Thin Films

$TiO_2$ 박막의 두께에 따른 실시간 스트레스 측정에 관한 연구

An in-situ stress measurement interferometer is constructed and used to measure the intrinsic stress in Ti$O_2$ thin films during their growth by ion-assisted deposition. It is found that the stress increases with the momentum transferred by the ion beam to the growing film and is fairly well agreed with Windischmann's model. The variation of the stress with thickness is qualitatively explained in terms of the balance between the compressive stress produced by the ion beam and the surface diffusion determined by the surface temperature.

실시간(in-situ) 스트레스측정 간섭계를 사용하여 이온보조증착에 의해 Ti$O_2$ 박막이 성장되는 동안에 박막내부의 스트레스를 측정하였다. 박막두께에 따른 스트레스의 변화는 이온빔에 의한 압축스트레스와 표면온도의 의해 결정되는 표면확산의 평형에 의해서 정성적으로 설병되어지며, 측정결과는 스트레스가 성장되는 박막에 전달되는 이온빔의 운동량에 따라 증가한다는 Windischmann의 모델과 일치하였다.