Active Optical Logic Devices Using Surface-emitting Microlasers

표면광 마이크로 레이저를 이용한 능동형 광 논리 소자의 동작 특성

Monolithic NOR and INVERTER active optical logic devices inte- grated with surface-emitting microlasers, heterojunction photo- transistors(HPT) in parallel and resistors in series are characterized. The differential quantum efficiency of the typical AlGaAs superlattice microlaser integrated in the active optical logic devices is 15%. Current gain of the HPT is 57, when emitter-collector voltage and input optical power are 4 V and $50{\mu}W$, respectively. $57{\mu}W$ of output power from the active optical logic device decreases to zero when $47{\mu}W$ of input optical power is incident on the HPT part of the active logic device.

표면광 마이크로 레잊, heterojunction phototransistor 그리고 저항을 단일 결정으로 성장시켜 집적시킨 NOR와 INVERTER 능동형 광 논리 소자에 대한 동작 특성을 조사하였다. 능동형 광 놀리 소자를 구성하는 개개 소자 중에서, 780 nm에서 발진하는 특정한 AlGaAs 초격자 마이크로 레이저의 미분 양자 효율은 15%로 나타났고, heterojunction phototransistor의 전류 이득은 에미터-컬렉터 전압이 4V이고, 입력 광의 세기가 $50{\mu}W$일 때 57으로 측정되었다. 직렬 저항이 370 ohm인 광 논리 소자의 출력은 입력광세기사 $47{\mu}W$일 때 $57{\mu}W$에서 $0{\mu}W$으로 감소하였다.