Korean Journal of Optics and Photonics (한국광학회지)
- Volume 5 Issue 2
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- Pages.340-346
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- 1994
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- 1225-6285(pISSN)
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- 2287-321X(eISSN)
Fabrication and characterization of InGaAs Separate Absorption Grading Multiplication Avalache Photodiodes for 2.5 Gbps Optical Fiber Communication System
2.5Gbps 광통신용 InGaAs separate absorption grading multiplication (SAGM) advanche photodiode의 제작 및 특성분석
Abstract
2.5Gbps 광통신시스템용 수광소자로서 charge plate층을 갖는 링구조의 separate absorption grading multiplication avalanche photodiode를 제작하고 그 특성을 조사 분석하였다. Avalanche Photodiode의 제작은 Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 과 Liquid Phase Epitaxy법을 이용한 에피성장과 Br:Methanol을 이용한 채널식각 방법을 사용하였고, passivation과 평탄화는 photosensitive polyimide를 이용하였다. 제작된 ADP는 10nA 이하의 작은 누설전류를 나타내었고, -38~39 V의 항복전압을 나타내었다. 제작된 ADP를 GaAs FET hybrid 전치증폭기와 결합하여 2.5Gbps 속도에서
Keywords