Korean Journal of Optics and Photonics (한국광학회지)

Optical Society of Korea (한국광학회)
권호 표지

Linewidth Reduction and Wavelength Tuning Characteristics of a 657 nm Visible Laser Diode

657 nm 가시광 반도체레이저의 선폭 축소와 파장가변특성

  • 윤태현 (한국표준과학연구원, 역학 연구부) ;
  • 서호성 (한국표준과학연구원, 역학 연구부) ;
  • 정명세 (한국표준과학연구원, 역학 연구부)
  • Published : 1994.03.01
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Abstract

We have reduced the oscillating linewidth of the commercial single mode InGaAsP visible laser diodes which emits in the 657 nm region of the spectrum down to 10 MHz by making a extended cavity employing the Littrow-type grating. The wavelength tuning characteristics of the commercial visible laser diode (CQL820D, Philips Co.) for the grating angle, laser temperature, and injection currents were measured by using the wavemeter. The proportional coefficients of the laser were found to be 1 THzlmrad, 32.4 GHz/K, and 6.14 GHz/mA, respectively.tively.

Littrow형 회절격자를 이용한 확장공진기를 657 nm 영역에서 연속동작하는 상용 InGaAsP 단일모우드 가시광 반도체를 이용하여 구성하였다. 제작한 확장공진기 시스템에서 657 nm InGaAsP 가시광 반도체 레이저의 선폭은 60 MHz에서 10 MHz 이하로 축소되었다. Littrow 회절격자의 설치각도와 레이저의 온도 및 주입 전류에 대한 반도체레이저의 주파수(파장) 의존성을 레이저 파장계를 이용하여 측정하였다. 상용 CQL820D 가시광 반도체레이저의 회절격자의 설치각도, 레이저 온도 및 주입전류에 대한 비례계수는 각각 1THz/mrad, 32.4 GHz/K, 그리고 6.14 GHz/mA 이었다.

Keywords