Silicon single crystal growth by continuous growth method

연속성장법에 의한 silicon 단결정 연속 성장

Silicon single crystals were continuously grown by a modified process. Polycrystalline silicon powder was fed from the top reservoir to the growth chamber. Silicon single crystals were grown from the botton of the growth chamber. The balance between the gravitational force of melt and the centrifugal force originated from the rotation of seed was the one of the main factors to control the diameter of crystals grown and quality, etc.

Crystal growth chamber 상부에 있는 reservoir에서 polycrystalline silicon powder를 연속적으로 feeding하면서 도가니 하부에 용융대를 형성시키고 seed를 meed를 dipping하여 회전시키면서 하부로 끌어내려 단결정을 성장시키는 연속성장법의 기본 원리를 확립하였고, 직접 고안 설계 제작한 연속성장 장치로 silicon 단결정을 성장시켰다. 본 연속성장법은 melt에 미치는 중력, 진동, melt의 표면장력, melt와 solid의 계면 장력, seed의 회전에 따른 원심력 등의 힘들이서로 상쇄되고 power, feeding양과 성장속도가 비례하여 적당한 조합을 이룰 때 안정한 연속성장을 할 수있다.