Abstract
InSb thin film magnetic sensor, which have been prepared on glass substrate by vacuum evaporation, is investigated in this paper. The dependance of Hall voltage on magnetic field and temperature is examined by Hall effect. The variation of Hall voltage with magnetic field is almost linear at constant current drive but it is deviated from the linearity at constant voltage drive. Hall voltage decreases as the ambient temperature increases, so it is necessary to take into account the temperature effect when the InSb thin film is used as magnetic sensor.
이 논문은 glass기판에 Insb를 진공증착시킨 Insb박막 자기 sensor에 대하여 연구한 것으로 Hall 효과를 이용하여 자계 및 온도에 대한 Hall전압의 의존성을 조사하엿다. 일정전류구동에서 자계데 대한 Hall전압의 변화는 거의 직선적이었으나 정전압구동에서는 직선성에서 벗어나는 것을 보였다. 주위 온도가 증가함에 따라 Hall 전압이 감소하였으며 InSb 증착막을 자기 sensor로 사용하는 경우, 온도 특성을 고려할 필요가 있다.