전자공학회논문지A (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A)
- 제31A권1호
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- Pages.77-83
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- 1994
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- 1016-135X(pISSN)
스트레스에 의한 핫-전자가 유기된 p-MOSFET의 게이트 산화막 두께 변화의 열화의 특성 분석
Degradation Characteristics of Hot-Electron-Induced p-MOSFET's GateOxide Thickness Variations by Stress
초록
Characteristics of hot-electron-induced degradation by AC, DC was investigated for p-MOSFET's(W/L=25/l
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