Properties of ITO thin films fabricated by R.F magnetron sputtering

R.F. magnetron sputtering 법으로 제작한 ITO 박막의 특성

Indium Tin Oxide (ITO) thin films have been fabricated by the rf magnetron sputtering technique with a target of a mixture $In_{2}O_{3}$ (90mol%) and $SnO_{2}$ (10mol%). We prepared ITO thin films with substrate temperature 100, 200, 300, 400, $500^{\circ}C$ and post-annealing temperature 300, 400, $500^{\circ}C$. And we analyzed X -ray diffraction patterns, electrical properties, transmission spectra and SEM photographs. As a result, the crystallinity, electrical conductivity and transmittance of ITO thin films were improved with increasing substrate temperature. But, as increasing post-annealing temperature in air, conductivity of the film was decreased. When the ITO thin film was fabricated with substrate temperature of $500^{\circ}C$ and thickness of $3000{\AA}$, its resistivity and transmittance were about $2{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ and 85% or more, respectively.

Indium Tin Oxide (ITO) 박막을 $In_{2}O_{3}$(90mol%) : $SnO_{2}$(10mo1%)의 조성비를 가지는 타겟을 사하여 rf 마그네트론 스퍼터링 법으로 제작하였다. 기판온도 100, 200, 300, 400, $500^{\circ}C$ 와 열처리 온도 300, 400, $500^{\circ}C$로 변화시켜 주면서 제작하였으며 X-ray 회절 패턴, 전기적 특성, 투과도, SEM 사진 등으로 분석하였다. 그 결과 기판온도를 증가시킬수록 결정성, 전기 전도도와 투과도가 향상되었다. 그러나 공기 중에서 열처리 온도를 증가함에 따라 도리어 전도도는 감소하였다. 기판온도 $300^{\circ}C$ 이상에서 $3000\;{\AA}$ 두께를 가지고 성장된 ITO 박막은 약 $2{\times}10^{-4}{\Omega}cm$의 저항률과 85% 이상의 가시광 투과율을 가졌다.