Fabrication and characteristics of photoluminescing Si prepared by spark process

Spark process법을 이용한 photoluminescence용 실리콘의 제조 및 특성

Visible photoluminescing (PL) silicon at room temperature has been prepared by a dry technique, that is, by spark processing, contrary to anodically etched porous silicon. PL peak maximum of photoluminescing spark processed Si was shifted to blue 520 nm. The stability of spark processed Si towards degradation upon UV radiation was found to be extremely high. Results from high resolution TEM, XRD and XPS studies suggest that spark processed silicon involves minute nanocrystalline (polycrystalline) particles which are imbedded in an amorphous matrix, preferably $SiO_2$.

건식 spark 방법에 의하여 상온에서 광 발광하는 실리콘을 제작하였다. Anodically etching된 다공성 실리콘에 비하여 spark법에 의해 제조된 광 발광 peak는 520nm로 청색으로 전이되어 있었다. 또한 spark법으로 제조된 실리콘의 경우 UV 노출에 의한 광 발광력의 안정성이 매우 높게 나타났다. High resolution TEM, XRD 연구 결과를 통하여 spark법으로 제조한 실리콘은 작은 다결정성 nanocrystalline 입자가 주로 비정질 $SiO_2$에 의하여 에워 싸여져 있음을 확인할 수 있었다.