Improved single crystal growth methods for oxide materials by MBE, LPE and $\mu$ - PD techniques

MBE, LPE와 $\mu$ - PD 기술에 의한 산화물재료의 개선된 단결정 성장방법

  • ;
  • Masahito Yoshizawa (Department of Materials Science and Technology, Faculty of Engineering, Iwate University)
  • Published : 1995.08.01

Abstract

The growth processes of improved methods for MBE, LPE and $\mu$ - PD methods are discussed taking the oxide materials, especially those of Bi - Sr - Ca - Cu family $LiNbO_3$ and $K_3Li_2Nb_5O_{15}$ family as examples. It is suggested that the crystal growth far from equilibr iu m including composition homogeneity has been achieved to satisfy in understanding and controlling the atomic interfaces.

분자션 에피텍시얼(MBE)법, 액상 에피텍시열(LPE)법과 마이크로 인상($\mu$ - PD)법 에 의한 단결정 성장에 있어서의 새로운 접근을 논의하였다. 재료로써는 Bi-Sr-Ca-Cu계, $K_3Li_2Nb_5O_{15}$계의 산화물을 사용하였으며, 비평형영역으로 부터의 고품질(균일 조성 및 저결함 밀도) 결정성장은 원자수준의 계면제어에 의해 가능함을 고찰할 수 있였다.

Keywords