Studies on the Optimization of Contact Oxide Etching Process Using Taguchi Method

Taguchi 방법을 사용한 콘택 산호막 식각 공정 최적화 연구

Process optimization experiments based on the Taguchi method were performed in order to set up the optimal process conditions for the contact oxide etching process module which was built in order to be attached to the cluster system of multi-processing purpose. From the two times experiments of Taguchi method, the overall behaviors of the etchmg characteristics depending upon the equipment parameters were understood at the 1st Taguchi experiment, the detail and optimal process conditions were extracted from the 2nd Taguchi experiment. As a final analysis of experimental results, the optimal etching characteristics were obtalned at the process conditions of $CHF_{3}/CF_{4}$ gas flow rate=72/8 sccm, chamber pressure=50 mTorr, RF power=300 Watts, magnetic field intensity=90 Gauss.

클러스터형의 다중 공정용 장치에 부착키 위해 제작된 콘택 산화막 식각용 공정모듈에 대한 적정 식각 공정조건을 확립하기 위해, Taguchi 방법을 활용하여 공정최적화 실험을 수행하였다. Taguchi 실험은 2회에 걸쳐 시행되었는데, 제1차 실험은 장비변수에 대한 식각공정변수의 개괄적 거동을 타진하기 위함이었고, 제2차 실험은 상세 공정조건 확립을 위해서였다. 실험 및 분석 결과 $CHF_{3}/CF_{4}$ 가스유량은 72/8sccm, 공정압력은 50 mTorr, RF 전력은 500 Watts, 자계강도는 90 Gauss일때 최적 공정 성능을 발휘함을 알 수 있다.