Effect of Bias Voltage in the Hot Filament Diamond CVD Process

열 필라멘트 다이아몬드 화학증착법에서 바이어스 전압의 효과

  • Im, Gyeong-Su (Dept. of Materials Engineering, Chungbuk National University) ;
  • Wi, Myeong-Yong (Dept. of Materials Engineering, Chungbuk National University) ;
  • Hwang, Nong-Mun (Korea Reserch Institute of Standards and Science)
  • Published : 1995.06.01

Abstract

열 필라멘트 화학증착(CVD) 다이아몬드 제조에서 bias인가에 따른 다이아몬드 생성양상의 변화를 조사하였다. 기존의 bias실험에서는 기판과 필라멘트 사이에 bias를 인가시켰으나, 본 연구에서는 이 방법 외에 필라멘트 상 하에 텅스텐 망을 설치하여 bias를 인가시켰다. 실험결과 bias 전압을 인가하는 방법에 관계없이 필라멘트의 전자방출을 촉진시키는 방향으로 bias가 인가될 겨우 다이아몬드의 생성밀도 및 증착속도에 유리하게 작용하였다. 본 결과로부터 다이아몬드 증착시 필라멘트에서 방출되는 전자가 중요한 영향을 미치고 있음을 확인하였다. 전자의 기판표면과의 충돌에 의하여 다이아몬드의 생성에 미치는 효과는 적어도 본 실험에서는 중요하지 않음을 알 수 있었다.

Keywords

References

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