A Study on the Process Conditions of ACA( Anisotropic Conductance Adhesives) for COG ( Chip On Glass)

COG(Chip On Glass)를 위한 ACA (Anisotropic Conductive Adhesives) 공정 조건에 관한 연구

  • 한정인 (전자부품종합기술연구소, 광전부품연구실)
  • Published : 1995.12.01

Abstract

In order to develop COG (Chip On Glass) technology for LCD module interconnecting the driver IC to Al pad electrode on the glass substrate, Anisotropic Conductive Adhesive(ACA) process, the most promising one among COG technologies, was investigated. ACA process was carried out by two steps, dispensing of ACA resin in the bonding area and curing by W radiation. Load on the chip was ranged from 2.0 to 15kg and the chip was heated at about 12$0^{\circ}C$. In resin, the density of conductive particles coated with Au or Ni at the surface were 500, 1000, 2000 and 4000 particles/$\textrm{mm}^2$, and the diameter of particles were 5, 7 and 12${\mu}{\textrm}{m}$. As a result of the experiments, ACA process using ACA particle of diameter and density of 5${\mu}{\textrm}{m}$ and 4000 particles/$\textrm{mm}^2$ respectively shows optimum characteristic with the stabilzed bonding properties and contact resistance.

구동 IC를 유리기판 위의 Al패드 전극에 연결하는 LCD(Liquid Crystal Display) 모듈을 실장하는 Chip On Glass (COG) 기술을 개발하기 위하여 기존에 잘 알려진 기술 가운데 실제로 적용 가능성이 가장 유망한 이방성 도전 접착제 (ACA, Anisotropic Conductive Adhesives)를 사용한 공정에 대하여 조사하였다. ACA 공정은 본딩 부분에 ACA 수지를 균일하게 분포시키는 공정과 자외선을 조사하여 수지를 경화하여 칩을 실장하는 공정의 2단계로 진행하였다. 칩에 가해준 하중은 2-15kg이었고 칩의 예열 온도는 12$0^{\circ}C$이었다. 이방성 도전체는 Au 또는 Ni이 표면 피막 재료로 사용된 것을 사웅하였으며 전도성 입자의 갯수가 500, 1000, 2000, 4000개/$\textrm{mm}^2$이며 크기가 5, 7, 12$\mu\textrm{m}$이었다. ACA 처리의 결과 입자 크기가 5$\mu\textrm{m}$이고 입자 밀도는 4000개/$\textrm{mm}^2$일 경우가 대단히 낮은 접촉 저항 및 가장 안정된 본딩 특성을 나타냈었다.

Keywords

References

  1. Telecommunication Reviews v.Ⅳ no.3 한정인;김철수(외)
  2. ISHM '93 proceedings Y.Chikawa;K.Mori;N.Tajima
  3. ISHM '93 proceedings D.W. Palmer;G.K.Lin
  4. SID '93 Application Digest C.Massit;G.Nicolas;B.Hepp;J.M.Vignolle
  5. 眞空 v.30 no.6 M.Fuyama;F.Nakano;T.Soga;M.Morijiri;M.Funyuu;I.Nunokawa
  6. Toshiba Review v.45 no.5 M.Siato;M.Mori;H.Saita
  7. Proceedings of the SID v.32 no.4 T.Tamura;I.Kobayashi;M.Uno;K.Adachi;M.Takeda;S.Hotta;Y.Bessho;S.Nakamura
  8. J. Electronics Manufacturing v.3 D.J.Williams;D.C.Whalley