A Study on the Fabrication Process and Magnetic Properties of Buble Magnetic Materials.

버블자성재료의 제조 및 자기 특성에 관한 연구

  • Park, Yong-Du (Division of Materials Engineering, Chungnam National University) ;
  • Kim, Jong-O (Division of Materials Engineering, Chungnam National University)
  • 박용두 (충남대학교 공과대학 재료공학과) ;
  • 김종오 (충남대학교 공과대학 재료공학과)
  • Published : 1995.12.01

Abstract

Magnetic garnet films of (YSmLuCa)$_3$(FeGe)$\_$5/O$\_$12/ have been grown by the liquid phase eqitaxy method on the substrate of non-magnetic garnet Gd$_3$Ga$\_$5/O$\_$12/. The variation of Sm ion concentration were varied 0.3, 0.4, 0.6, mole/formula unit respectively. The magnetic properties of the samples for the bubble magnetic materials, such as, line width ΔH of ferromagnetic resonance (FMR), magnetic saturation induction 4$\pi$Ms, wall mobility u$\_$w/ uniaxial magnetic anisotropy energy Ku, were measured and discussed the relations between these properties. The line width ΔH decreases with increasing 4$\pi$Ms, and with decreasing Sm concentration. The anisotropy energy Ku increases not only with increasing Sm ion concentration, but also increasing 4$\pi$Ms. The value of wall mobility u$\_$w/ increase with increasing 4$\pi$Ms and decreases with increasing Sm concentration. We define a physical constant Eι from the fact that the product of 4$\pi$Ms and ΔH is constant with dimension of energy density. The Eι is dependent only on Sm concentration.density. The Eι is dependent only on Sm concentration.

Sm의 농도가 각각 0.3, 0.4, 0.6인 세종류인(YSmLuCa)$_3$(FeGe)$_{5}$ $O_{12}$ 가넷트 박막을 LPE법으로 비자성재료인 Gd$_3$Ga$_{5}$ $O_{12}$(GGG)기판상에 성장시켜, 버블 자성재료의 자기적 성질을 조사하였다. 공명폭 ΔH는 4$\pi$Ms의 증가에 따라 증가하였고 Sm 농도의 감소에 따라 감소한다. 수직 자기 이방성에너지 Ku는 Sm증가에 따라 증가하며 같은 Sm농도에서는 4$\pi$Ms의 증가에 따라 증가한다. 자벽 이동도는 4$\pi$Ms의 증가에 따라 증가하며 Sm의 증가에 따라 감소한다. Ms.ΔH의 곱이 일정한 사실로 부터 새로운 자기손실인자 Eι을 구할 수 있으며 이는 Sm의 농도에 의존한다.ι을 구할 수 있으며 이는 Sm의 농도에 의존한다.

Keywords

References

  1. Bell Sys. Tech. J. v.46 no.1901 A.H. Bobeck
  2. Magnetic bubble technology A.H. Eschenfelder
  3. 日本應用磁氣學會誌 v.15 no.237 人反田;布谷
  4. IEEE Trans .Magn. v.MAG-23 no.2326 H. Asada(et al.)
  5. IEEE Trans .Magn. v.MAG-22 no.784 T.Suzuki(et al.)
  6. J. Electrochem. Soc. v.123 no.856 S.L. Blank(et al.)
  7. Appl. phys. letters v.7 no.402 R.C. Lecraw(et al.)
  8. Proc. IEEE v.63 no.1176 A.H. Bobbeck(et al.)
  9. IEEE Trans, Magn. v.MAG-25 no.4248 K. Matsuyama(et al.)
  10. J. Appl. phys. v.63 no.3153 A. Thiaville(et al.)
  11. IEEE Trans. Magn. v.MAG-16 no.610 N. Ohta(et al.)