Abstract
The reflection spectrum of a $2H-PbI_2$ single crystal grown by vapour phase method were measured at 10 K near the fundamental absorption edge. The n= 1,2,3 Wannier exciton series and $A_{EP}$ reflection line were obtained from the reflection spectrum. Based on the 2nd phonon energy in the Raman spectrum, which is different from Nagamune's report, we suggest that $A_{EP}$ line is due to the bound state between the n=2 exciton and the 2nd phonon which surmise that this is LO phnon due to the second Raman process. The L-T splitting energy of n=1 exciton line was 6.56 meV and was consistent with the emission spectrum. The temperature dependence of the reflection spectrum showed that n=1 exciton peak was shifted to longer wavelength while, as the temperatre is raised, the sharpness of that with the increase of the L-T splitting energy decrease. From Wannier exiton series, the exciton binding energy and exciton radius was 30 meV and 14$\AA$, respectively.
2H-Pb $I_{2}$ 단결정의 반사스펙트럼을 10K에서 측정하였으며 기초흡수단 근처에서 n=1, 2, 3의 Wannier 엑시톤 계열과 $A_{EP}$ 선을 얻었다. $A_{EP}$ 선은 Nagamune 등의 보고와는 달리 라만스펙트럼의 2nd 포논에너지로부터 n=2 엑시톤과 2nd 포논의 결합상태로 생각된다. 또 2nd 포논은 이차 라만산란과정에서 LO 포논과 관련된 라만선으로 생각된다. Wannier 엑시톤 계열로부터 기상법으로 성장시킨 2H-Pb $I_{2}$ 단결정의 엑시톤 결합에너지와 반경은 각각 33meV와 14.angs.이었으며 n=1 엑시톤의 L-T 분리 에너지 값은 10K 에서 6.56meV로 동일 온도에서 측정된 발광스펙트럼에서도 같은 값으로 나타났다. 또 반사스펙트럼을 온도의 함수로 측정하였으며 그 결과 n=1 엑시톤의 반사선은 온도가 증가함에 따라 장파장 쪽으로 이동하였고 L-T 분리에너지가 증가하면서 엑시톤 반사선의 예리도도 감소함을 알 수 있었다.