한국결정성장학회지 (Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology)

  • 제6권4호
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  • Pages.480-492
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  • 1996
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  • 1225-1429(pISSN)
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  • 2234-5078(eISSN)
한국결정성장학회 (The Korea Association of Crystal Growth)
권호 표지

반응성 sputtering법으로 제막된 ZnO : Al 박막의 전기.광학적 특성

Electrical and optical properties of ZnO:Al thin films prepared by reactive sputtering method

  • 유병석 (한국유리공업주식회사 기술연구소) ;
  • 유세웅 (한국유리공업주식회사 기술연구소) ;
  • 이정훈 (한국유리공업주식회사 기술연구소)
  • 발행 : 1996.11.01
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초록

Al이 2 wt% 포함되어 있는 Zn 금속 target을 사용하여 반응성 직류 magnetron sputtering법으로 AZO(Aluminum doped Zinc Oxide) 투명전도막을 제막하였다. 반응성 가스인 산소의 분압과 유량을 조절하여 투과율과 전도도가 모두 우수한 전이영역을 발견하였고 전이영역을 안정적으로 유지하기 위한 증착조건을 찾아냈다. ZnO:Al막의 XRD분석결과 산화막이나 전이영역에서 증착된 막들은 ZnO결정의 (002)면의 peak가 유일하게 관찰되었다.

AZO (Aluminum doped Zinc Oxide) transparent conducting thin films were fabricated by reactive DC mangnetron sputtering method using zinc target containing 2 wt% of Al. Transition range with optimum transmittance and conductivity was obtained by contrlling partial pressure of reactive oxygen gas. Sputtering condition for this transition range could be kept stable by regulating the target voltage. According to XRD analysis, there was only one peak for (002) plane in AZO films and the films deposited in transition range.

키워드

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