Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

Growth and Properties of GaN by HVPE Method.

HVPE법에 의한 GaN의 성장과 특성

  • 김선태 (대전산업대학교 재료공학과) ;
  • 문동찬 (광운대학교 전자재료공학과) ;
  • 홍창회 (LG전자기술원 소자재료1실)
  • Published : 1996.05.01
Download PDF
⟨ Previous Next ⟩

Abstract

HVPE(hydride vapor phase epitaxy)법을 이용하여 C(0001)면의 사파이어 기판위에 GaN 박막을 성장하였다. 110$0^{\circ}C$의 온도에서 박막의 성장률은 120$\mu\textrm{m}$/hr이었고, 사파이어 기판과 GaN사이의 격자상수와 열팽창계수차로 인하여 많은 크랙이 존재하였다. 두께가 20$\mu\textrm{m}$인 GaN의 (0002)면에 대한 X-선 회절피크의 반치폭은 576초 이었다. 10K의 온도에서 측정된 광루미네센스 스펙트럼에서는 강한 강도의 속박여기자에 의한 피크(I2)와 약한 강도의 도너-억셉터 쌍 사이의 재결합에 의한 피크가 나타났으며, 깊은 준위로부터의 발광은 검출되지 않았다. GaN 박막의 전기전도형은 n형 이었고, 전자이동도와 캐리어농도는 각각 72$\textrm{cm}^2$/V-sec와 6x1018cm-3이었다.

Keywords

References

  1. J. Appl. phys. v.76 H.Morkoc;S.Strite;G.B.Gao;M.E.Lin;B.Sverdlov;M.Burns
  2. Appl. Phys. Lett. v.48 H,Amano;N.Sawaki;I.Akasaki;Y.Toyoda
  3. Jpn. J. Appl. Phys. v.30 S.Nakamura
  4. Jpn. J. Appl. Phys. v.28 H.Amano;M.Kito;K.Hiramatsu;I.Akasaki
  5. Jpn. J. Appl. Phys. v.31 S.Nakamura;T.Mukai;M.Senoh;N.Isawa
  6. Appl. Phys. Lett. v.67 S.Nakamura;;N.Iwasa;S.Nagahama
  7. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. v.326 S.Chadda;M.Pelcynski;K.Malloy;S.Hersee
  8. J. Electrochem. Soc v.119 C.D.Thurmond;R.A.Logan
  9. Physica B v.185 I.Gezegory;J.Jun;S.Krukowski;M.Bockowski;S.Porowski
  10. J. Electrochem. Soc. v.125 A.Shintani;Y.Takano;S.Minagawa;M.Maki
  11. Appl. Phys. lett. v.61 T.Detchprohm;K.Hiramatsu;H.Amano;I.Akasaki
  12. Jpn. J. Appl. Phys. v.19 T.Ogino;M.Aoki
  13. Mat. Res. Bull. v.12 K.Gillessen;K.H.Schuller;B.Struck